Samsung und SK Hynix investierten im vergangenen Jahr fast eine Milliarde US-Dollar in die Steigerung der Speicherproduktion in China

Wie koreanische Speichergiganten den Zugang zu amerikanischer Ausrüstung sichern und die Produktion in China ausbauen

Während der Amtszeit von Joe Biden versuchten die US-Behörden, die Möglichkeit südkoreanischer Hersteller einzuschränken, ihre Fabriken in China auszubauen. Diese Anlagen sind entscheidend für die Versorgung des Weltmarktes mit Speicherchips. Dennoch gelang es Samsung und SK Hynix, den Zugang zu amerikanischer Ausrüstung aufrechtzuerhalten und gleichzeitig in die Modernisierung ihrer chinesischen Betriebe zu investieren.

1. Samsung Electronics
Kennzahl Daten Investitionen in Xi'an (2023) $344 Mio. Wachstum im Vergleich zu 2022 +67,5 % Rolle der Anlage Eine einzige ausländische Produktionsstätte von Samsung für NAND‑Speicher; liefert bis zu 40 % des weltweiten Produktionsvolumens
Investitionsgeschichte Nach einer Investition von $464 Mio. im Jahr 2019 tätigte das Unternehmen vier Jahre lang keine größeren Finanzierungen. Im Jahr 2024 wurden $184 Mio. bereitgestellt, und letztes Jahr wurde der Betrag fast verdoppelt.
Damit ist Xi'an zu einem strategischen Zentrum für Samsung geworden, insbesondere angesichts des steigenden Speicherbedarfs im Zeitalter der künstlichen Intelligenz.

2. SK Hynix
Kennzahl Daten Gesamtinvestitionen in China (2023) > $663 Mio. Fabriken – DRAM‑Fabrik in Wuxi; 3D‑NAND‑Fabrik in Dalian, die im Jahr 2022 von Intel erworben wurde
Investitionen in Wuxi (2023) doppelt auf $190 Mio. Investitionen in Dalian (2023) $293 Mio. (1,5 Mal mehr als 2024) Economischer Einfluss ≈ 1 Billion südkoreanische Won – ein bedeutender Betrag für das Unternehmen
SK Hynix erweitert aktiv die Produktion von DRAM und 3D‑NAND, um der wachsenden Nachfrage nach Speicher aus KI- und Cloud-Diensten gerecht zu werden.

3. Technologische Pläne
Unternehmen Geplantes Produkt Wird produziert
Samsung 236‑Layer‑3D‑NAND (Übergang von 128 Layern) Kina
Samsung 400‑Layer‑3D‑NAND Südkorea
SK Hynix Umrüstung der DRAM‑Fabrik in Wuxi auf die vierte Generation 10‑nm (1a) Wuxi, China

- Samsung plant den Start einer fortschrittlicheren 236‑Layer‑Speichertechnologie in China, um wettbewerbsfähig zu bleiben trotz technologischer Beschränkungen des Landes.

- SK Hynix beabsichtigt die Fertigungstechnologie der DRAM‑Fabrik in Wuxi auf 10‑nm (1a) zu aktualisieren, was eine effiziente Produktion von DDR5 ermöglichen wird. Die Fabrik trägt bereits mehr als 30 % zum weltweiten DRAM-Volumen des Unternehmens bei.

Ergebnis
Trotz US-Bemühungen, den Zugang südkoreanischer Hersteller zu amerikanischer Ausrüstung einzuschränken, investieren Samsung und SK Hynix weiterhin Hunderte Millionen Dollar in China. Dies ermöglicht es ihnen, wettbewerbsfähig zu bleiben, die Produktion von NAND‑Speicher und DRAM auszubauen und sich auf das zukünftige Wachstum der Nachfrage vorzubereiten, insbesondere im Bereich künstlicher Intelligenz.