Samsung stellte auf der Computex 2026 einen Prototypen des HBM5‑Speichers mit Stapeltechnologie vor

Samsung Electronics – erste Schritte zu HBM5

Kürzlich kündigte Samsung Electronics die Lieferung von Prototypen der HBM4E‑Speicher an, arbeitet jedoch bereits aktiv an der nächsten Generation – HBM5. Auf der Computex 2025 stellte das Unternehmen lediglich ein großes Chipmodell von HBM5 vor, um einen allgemeinen Überblick über seine Struktur zu geben. Bereits jetzt ist ersichtlich, dass die Technologie komplex und anspruchsvoll sein wird.

Schlüsselmerkmale der Entwicklung
Parameter Was Samsung tut Grundkristall Eigenständige Produktion im 2‑nm-Prozess Anzahl DRAM-Schichten Von 12 bis 20 (Klasse 1c) GAA‑Transistoren Geplant für 2‑nm-Chips Prozess unter 1 nm Das Unternehmen ist zuversichtlich, es in Zukunft beherrschen zu können
Der technische Leiter der Samsung Electronics-Abteilung Song Jaehyuk bestätigte die Beteiligung des Unternehmens an der Entwicklung und Implementierung dieser Technologien. Die Existenz einer Vertragsabteilung ermöglicht die Erfüllung der Anforderungen der strengsten Kunden, einschließlich Nvidia.

Vergleich mit HBM4E
* HBM4E verwendet einen 4‑nm-Grundkristall und den Prozess 1c zur Herstellung von DRAM-Chips, die das Speicherstack bilden.

* HBM5 wird bieten:

* Dünnerer Kristall (2 nm) und flexiblere Schichtanzahl (12–20).

* Heat Path Block (HPB) – ein Wärmeableitkanal für effiziente Kühlung.

* Erhöhte Datenübertragungsgeschwindigkeit dank verbesserter Architektur.

Die HPB‑Technologie ist bereits bei HBM4E erprobt, und Samsung plant fortgeschrittene Wärmetraditionsmethoden zur Steigerung der Speicherstabilität. Die Massenproduktion von HBM5 ist für 2028 geplant, und im Rahmen von HBM5E werden DRAM-Kristalle mit einem fortschrittlicheren Prozess 1d hergestellt.

Was die Konkurrenz tut
* SK hynix verwendet eine ähnliche Kühltechnologie – iHBM. Das bedeutet, dass Samsungs Lösung nicht einzigartig in Bezug auf Wärmeableitung ist.

* SK hynix setzt ebenfalls 2‑nm-Chips im HBM5 ein und plant die Massenproduktion unter Einsatz von iHBM.

Fazit
Samsung Electronics entwickelt bereits HBM5 basierend auf einem 2‑nm-Prozess, mit bis zu 20 DRAM-Schichten und der innovativen Wärmeableitung HPB. Die Serienfertigung ist für 2028 vorgesehen, und Konkurrenten wie SK hynix setzen ähnliche Lösungen (iHBM) ein. Insgesamt zeigt Samsung Vertrauen in die Beherrschung von Prozessen unter 1 nm und Bereitschaft, die Anforderungen der größten Kunden zu erfüllen.