Intel plant in Zusammenarbeit mit SoftBank, die HBM‑Speicher bis zum Jahr 2029 zu ersetzen.

SoftBank und Intel planen die Markteinführung des neuen Speichers Z‑Angle Memory (ZAM) bis zum Jahr 2029

Wie wird das umgesetzt? Verantwortliche Unternehmen: SoftBank – über die Tochterfirma Saimemory, die sich mit Entwicklung und Vertrieb befasst. Intel stellt Fertigungs- und Verpackungstechnologien bereit. Beteiligung weiterer Akteure: Fujitsu aus Japan ist am Projekt beteiligt.

Warum Z‑Angle Memory nötig ist
* Probleme des bestehenden HBM:
- Sehr teuer und energieintensiv.
- Bei steigenden Produktionsvolumina leidet klassischer DRAM unter Ressourcenknappheit.
* Ziel von Z‑AM: Eine kostengünstigere, energieeffizientere Alternative anbieten, die gleichzeitig hohe Datendichte beibehält.

Technische Besonderheiten
Parameter | Beschreibung
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Struktur | Stapel aus mehreren Schichten von Chips (ähnlich HBM), jedoch mit fortschrittlicheren Verpackungs- und Architekturmöglichkeiten.
Dichte | Spezifische Kapazität des Stacks 2‑3 mal höher als bei HBM.
Energieverbrauch | Etwa halbiert im Vergleich zu HBM.
Produktionskosten | Erwartet wird entweder die Aufrechterhaltung der aktuellen Preisniveaus oder ein Rückgang um bis zu 40 %.

Verpackungstechnologie
* Intel bietet die NGDB (Next‑Generation Die Bonding)-Technologie an, die die Energieeffizienz des ZAM-Speichers im Vergleich zu HBM erhöht.
* In Prototypen sind bereits acht DRAM-Schichten auf dem Basiskristall realisiert.

Launch-Plan
1. Zwischenprototypen – Demonstration bis Ende März 2028.
2. Massenproduktion – Beginn innerhalb der nächsten 12 Monate nach Präsentation, also etwa Mitte 2029.

Damit beabsichtigen SoftBank und Intel, die Produktion von Z‑Angle Memory schnell zu skalieren und einen erschwinglicheren sowie energieeffizienteren Speicher für zukünftige Hochleistungs­systeme bereitzustellen.